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アイテム / Photoinduced stress in a ZnSe/GaAs epilayer containing 90°α partial dislocations / ApplPhysLett_87_181909
ApplPhysLett_87_181909
ファイル | ライセンス |
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ApplPhysLett_87_181909.pdf (261.1 kB) sha256 8b8e731888df62c84e5cc0cf943fba2acca8db05076e8dabc52fb3aa9d2634ef |
公開日 | 2010-04-21 | |||||
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ファイル名 | ApplPhysLett_87_181909.pdf | |||||
本文URL | https://tohoku.repo.nii.ac.jp/record/43553/files/ApplPhysLett_87_181909.pdf | |||||
ラベル | ApplPhysLett_87_181909.pdf | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 261.1 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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