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アイテム / X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO2/Si interface structures formed by three kinds of atomic oxygen at 300 °C / ApplPhysLett_84_3756
ApplPhysLett_84_3756
ファイル | ライセンス |
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公開日 | 2010-04-21 | |||||
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ファイル名 | ApplPhysLett_84_3756.pdf | |||||
本文URL | https://tohoku.repo.nii.ac.jp/record/53572/files/ApplPhysLett_84_3756.pdf | |||||
ラベル | ApplPhysLett_84_3756.pdf | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 60.7 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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