WEKO3
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<報文>ナノエリア解析システムによる Si エピタキシャル層の結晶性評価
http://hdl.handle.net/10097/34338
http://hdl.handle.net/10097/343386e3b3b1b-ca7e-411e-bad3-85b33c36189c
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00000659759.pdf (526.8 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2008-05-02 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | <報文>ナノエリア解析システムによる Si エピタキシャル層の結晶性評価 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | transmission electron microscopy | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Si wafer | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | epitaxial growth | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | lattice defect | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | electron diffraction | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
大橋, 嘉公
× 大橋, 嘉公× 村上, 恭和× 池松, 陽一× 進藤, 大輔× 今井, 正人 |
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| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 120210 | |||||
| 姓名 | OHASHI, Yoshimasa | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 120211 | |||||
| 姓名 | MURAKAMI, Yasukazu | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 120212 | |||||
| 姓名 | IKEMATSU, Yoichi | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 120213 | |||||
| 姓名 | SHINDO, Daisuke | |||||
| 著者(ヨミ) | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 120214 | |||||
| 姓名 | IMAI, Masato | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | In order to evaluate the crystallinity of the Si epitaxial layer on a recently developed 400mm diameter wafer, detailed transmisson electron microscopic observations were carried out, using specimens with the following growth conditions; growth temperature at 900℃, the H_2 gas flow rate of 80slm and the SiH_4 gas flow rate of 300sccm. V-shaped micro defects, which basically consisted of stacking faults and micro twins, were observed in the epitaxial layer. The morphology and distribution of the defects depended on the positions on the wafer, i. e. the distance from the wafer edge. Mechanisms of defect formation are briefly discussed. | |||||
| 書誌情報 |
東北大学素材工学研究所彙報 en : Bulletin of the Institute for Advanced Materials Processing, Tohoku University 巻 56, 号 1/2, p. 39-45, 発行日 2001-03-01 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 09194827 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN10405196 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| その他の言語のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | <Original Paper>Evaluation of Crystallinity in the Si Epitaxial Layer by Nano-Area Characterization System | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 東北大学素材工学研究所 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 紀要類(bulletin) | |||||
| 登録日 | ||||||
| 日付 | 2008-05-02 | |||||
| 日付タイプ | Created | |||||
| 公開日（投稿完了日） | ||||||
| 日付 | 2008-05-02 | |||||
| 日付タイプ | Created | |||||
| 発行日 | ||||||
| 日付 | 2001-03-01 | |||||
| 日付タイプ | Created | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 526847 bytes | |||||
| 更新日 | ||||||
| 日付 | 2010-01-27 | |||||
| 日付タイプ | Created | |||||
