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Formation of Anomalous defect structure on GaSb surface by low temperature Sn ion-implantation
http://hdl.handle.net/10097/52275
http://hdl.handle.net/10097/5227503948ccf-fbee-468c-b607-0e3ef2483966
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
1345-9678-43(4)-674.pdf (356.0 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-01-27 | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | Formation of Anomalous defect structure on GaSb surface by low temperature Sn ion-implantation | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||
| 著者 |
Nitta, Noriko
× Nitta, Noriko
× Taniwaki, Masafumi
× Suzuki, Tomoo
× Hayashi, Yoshihiko
× Satoh, Yuhki
× Yoshiie, Toshimasa
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| 書誌情報 |
Materials Transactions 巻 43, 号 4, p. 674-680, 発行日 2002 |
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| ISSN | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 1345-9678 | |||||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||
| 出版者 | 日本金属学会 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||
| 内容記述 | 学術論文 (Article) | |||||||||||||||||
| 登録日 | ||||||||||||||||||
| 日付 | 2012-01-27 | |||||||||||||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||||||||||||
| 公開日（投稿完了日） | ||||||||||||||||||
| 日付 | 2012-01-27 | |||||||||||||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||||||||||||
| 発行日 | ||||||||||||||||||
| 日付 | 2002 | |||||||||||||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||||||||||||
| 公開範囲 | ||||||||||||||||||
| 値 | 学外 | |||||||||||||||||
| 登録者コメント | ||||||||||||||||||
| 値 | 佐藤 裕樹 | |||||||||||||||||
| 大学情報DB画面区分 | ||||||||||||||||||
| 値 | K020 | |||||||||||||||||
| 大学情報DBリンク番号 | ||||||||||||||||||
| 値 | 103157 | |||||||||||||||||
| 大学情報DBリポジトリ区分 | ||||||||||||||||||
| 値 | 許諾 | |||||||||||||||||
| 更新日 | ||||||||||||||||||
| 日付 | 2012-01-27 | |||||||||||||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||||||||||||
Share
Cite as
Nitta, Noriko, Taniwaki, Masafumi, Suzuki, Tomoo, Hayashi, Yoshihiko, Satoh, Yuhki, Yoshiie, Toshimasa, 2002, Formation of Anomalous defect structure on GaSb surface by low temperature Sn ion-implantation: 日本金属学会, 674–680 p.
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