WEKO3
アイテム
Electron mobility exceeding 104cm2/Vs in an AlGaN-GaN heterostructure grown on a sapphire substrate
http://hdl.handle.net/10097/51780
http://hdl.handle.net/10097/51780b8a997a2-279d-44b7-960c-f2622d360d4b
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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ApplPhysLett_74_3531.pdf (62.3 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-01-25 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Electron mobility exceeding 104cm2/Vs in an AlGaN-GaN heterostructure grown on a sapphire substrate | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
Wang, T.
× Wang, T.× Ohno, Y.× Lachab, M.× Nakagawa, D.× Shirahama, T.× Sakai, S.× Ohno, H. |
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| 書誌情報 |
Applied Physics Letters 巻 74, 号 23, p. 3531-3533, 発行日 1999 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.124151 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | American Institute of Physics | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 学術論文 (Article) | |||||
| 登録日 | ||||||
| 日付 | 2012-01-25 | |||||
| 日付タイプ | Created | |||||
| 公開日（投稿完了日） | ||||||
| 日付 | 2012-01-25 | |||||
| 日付タイプ | Created | |||||
| 発行日 | ||||||
| 日付 | 1999 | |||||
| 日付タイプ | Created | |||||
| 公開範囲 | ||||||
| 値 | 学外 | |||||
| 登録者コメント | ||||||
| 値 | 大野 裕三 | |||||
| 大学情報DB画面区分 | ||||||
| 値 | K020 | |||||
| 大学情報DBリンク番号 | ||||||
| 値 | 306327 | |||||
| 大学情報DBリポジトリ区分 | ||||||
| 値 | 許諾 | |||||
| 更新日 | ||||||
| 日付 | 2012-01-25 | |||||
| 日付タイプ | Created | |||||
