WEKO3
アイテム
Fabrication of High-Qualiy Free-Standing GaN Substrates by Using a Novel Evaporable Buffer Layer(EBL)(新しい蒸発可能なバッファー層(EBL)を用いることによる髙品質GaN自立基板の作製)
http://hdl.handle.net/10097/42539
http://hdl.handle.net/10097/42539b52a4551-40a1-4c6b-9014-0be36251d94b
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | その他 / Others(1) | |||||||
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公開日 | 2010-03-01 | |||||||
タイトル | ||||||||
タイトル | Fabrication of High-Qualiy Free-Standing GaN Substrates by Using a Novel Evaporable Buffer Layer(EBL)(新しい蒸発可能なバッファー層(EBL)を用いることによる髙品質GaN自立基板の作製) | |||||||
言語 | ||||||||
言語 | jpn | |||||||
資源タイプ | ||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_1843 | |||||||
資源タイプ | other | |||||||
著者 |
李, 賢宰
× 李, 賢宰
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著者(ヨミ) | ||||||||
識別子Scheme | WEKO | |||||||
識別子 | 285274 | |||||||
姓名 | い, ひょんじぇ | |||||||
書誌情報 | 号 53 | |||||||
資源タイプ | ||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||
内容記述 | 博士学位論文の要旨及び審査結果の要旨 (Summary of Thesis(DR)) | |||||||
登録日 | ||||||||
日付 | 2010-03-01 | |||||||
日付タイプ | Created | |||||||
公開日(投稿完了日) | ||||||||
日付 | 2010-03-01 | |||||||
日付タイプ | Created | |||||||
発行日 | ||||||||
日付 | 2009-03-25 | |||||||
日付タイプ | Created | |||||||
公開範囲 | ||||||||
値 | 学外 | |||||||
著者所属 | ||||||||
T | ||||||||
更新日 | ||||||||
日付 | 2010-05-25 | |||||||
日付タイプ | Created | |||||||
学位授与番号 | ||||||||
4125 | ||||||||
学位の種別 | ||||||||
値 | 課程 |