WEKO3
アイテム / Fabrication of High-Qualiy Free-Standing GaN Substrates by Using a Novel Evaporable Buffer Layer(EBL)(新しい蒸発可能なバッファー層(EBL)を用いることによる髙品質GaN自立基板の作製) / T1H214125
T1H214125
| ファイル | ライセンス |
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 T1H214125.pdf (627.9 kB)
sha256
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| 公開日 | 2017-05-09 | |||||
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| ファイル名 | T1H214125.pdf | |||||
| 本文URL | https://tohoku.repo.nii.ac.jp/record/97846/files/T1H214125.pdf | |||||
| ラベル | T1H214125.pdf | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 627.9 kB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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