WEKO3
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アイテム
金属/SiO2/SiC構造へのSi窒化膜界面制御層導入プロセスに関する研究
http://hdl.handle.net/10097/00135524
http://hdl.handle.net/10097/001355248c9fb3a3-caea-4d24-bab8-0a943c33f5c6
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
0385-7719-2022-91-1-146.pdf (2.2 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2022-08-22 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | 金属/SiO2/SiC構造へのSi窒化膜界面制御層導入プロセスに関する研究 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | Study on The Introduction Process of Si Nitride Interface Control Layer into Metal/Si02/SiC Structure | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||
| 著者 |
渋谷, 凱政
× 渋谷, 凱政
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| 著者別名 | ||||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||||
| 識別子 | 360749 | |||||||
| 姓名 | SHIBUYA, Kaisei | |||||||
| 書誌情報 |
東北大学電通談話会記録 巻 91, 号 1, p. 146-147, 発行日 2022-07-29 |
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| ISSN | ||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||
| 収録物識別子 | 0385-7719 | |||||||
| 著者版フラグ | ||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||
| 出版者 | ||||||||
| 出版者 | 東北大学電気通信研究所 | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | 紀要類（bulletin） | |||||||
| 登録日 | ||||||||
| 日付 | 2022-08-22 | |||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||
| 公開日（投稿完了日） | ||||||||
| 日付 | 2022-08-22 | |||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||
| 発行日 | ||||||||
| 日付 | 2022-07-29 | |||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||
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Cite as
渋谷, 凱政, 2022, Study on The Introduction Process of Si Nitride Interface Control Layer into Metal/Si02/SiC Structure: 東北大学電気通信研究所, 146–147 p.
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