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Na蒸気を利用したNaフラックス法によるGaN単結晶の育成
http://hdl.handle.net/10097/40572
http://hdl.handle.net/10097/40572a594eb78-625c-4641-882a-51191519334a
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00005127605.pdf (1.1 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2010-02-05 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Na蒸気を利用したNaフラックス法によるGaN単結晶の育成 | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | GaN | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Crystal growth | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | seeded growth | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Na flux method | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Na vapor | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
| 著者 |
山田, 高広
× 山田, 高広
× 山根, 久典
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| 著者(ヨミ) | ||||||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||||||
| 識別子 | 120898 | |||||||||
| 姓名 | YAMADA, TAKAHIRO | |||||||||
| 著者(ヨミ) | ||||||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||||||
| 識別子 | 120899 | |||||||||
| 姓名 | YAMANE, HISANORI | |||||||||
| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | GaN single crystals were grown by heating a Ga melt in Na vapor at 720-800℃ and 5MPa of N_2 for 8-200h. The Ga melt absorbed Na from the vapor and formed a Na-Ga melt. Transparent prismatic GaN single crystals grew spontaneously from the wall of a boron nitride crucible in the melt. The size of the prismatic GaN single crystals obtained at 800℃ was 1.0-3.0mm long and 0.3-1.0mm wide. Full-width at half maximum (FWHM) of the X-ray rocking curve measured for (10.0) reflection of prismatic crystals was 24 arcsec. Seeded growth of GaN single crystals was performed at 780℃ and N_2 pressure of 5MPa by the Na flux method with Na vapor. Transparent crystals were grown on prismatic GaN seed crystals in a Na-Ga melt with a low Na fraction, in which spontaneous nucleation of GaN was inhibited. The thickness of the crystals grown on the seeds by heating for 400 h was approximately 150μm in the directions perpendicular to the prismatic and pyramidal planes, implying the growth rate of 0.4μm/h at least. | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 報文 | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | Original Paper | |||||||||
| 書誌情報 |
東北大学多元物質科学研究所素材工学研究彙報 巻 63, 号 1/2, p. 6-12, 発行日 2008-03-01 |
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| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 1348-4052 | |||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA11795764 | |||||||||
| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| その他の言語のタイトル | ||||||||||
| その他のタイトル | Crystal Growth of GaN by the Na Flux Method Using Na Vapor | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 東北大学多元物質科学研究所素材工学研究棟 | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 紀要類 (bulletin) | |||||||||
| 登録日 | ||||||||||
| 日付 | 2010-02-05 | |||||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||||
| 公開日（投稿完了日） | ||||||||||
| 日付 | 2010-02-05 | |||||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||||
| 発行日 | ||||||||||
| 日付 | 2008-03-01 | |||||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||||
| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 1077718 bytes | |||||||||
| 著者所属 | ||||||||||
| 値 | 東北大学多元物質科学研究所 / 東北大学多元物質科学研究所 | |||||||||
| 更新日 | ||||||||||
| 日付 | 2010-05-25 | |||||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||||
